I valori sotto sono ricavati dalle definizioni correnti dei preset guidati, fisicamente invariate rispetto allo Step 56; i valori live possono naturalmente cambiare dopo modifiche dell’utente.
QPE evolve una funzione d’onda complessa scalare 2D. Il passo cinetico ordinario viene eseguito nello spazio di Fourier e il potenziale nello spazio reale con splitting di tipo Strang; eventi speciali come misure, kick o sequenze di impulsi vengono sovrapposti senza confondere rendering e fisica.
| Dominio | 40.96 × 40.96 |
|---|---|
| Griglia | 512 × 512 |
| Boundary | Aperto con assorbitore CAP |
| CAP | width=0.15, strength=8 |
| Pacchetto iniziale | centro=(-8, 0), σ=3, p=(2.5, 0), m=1 |
| Geometria base | Doppia fenditura |
| Parametri geometria | V₀=8, center=(0, 0), size=(0.32, 0) |
| Preparazione | Pacchetto gaussiano |
Per i moduli speciali (Ramsey, LZ, gauge, Dirac, kick, misura, ecc.) i parametri completi e autorevoli del run corrente sono esposti da Help → Current Experiment → Current Parameters.
| Piattaforma rappresentativa | 2DEG tipo GaAs / nanostruttura a semiconduttore |
|---|---|
| Base della mappatura | mappatura a massa efficace (m*=0.067 m_e) |
| 1 unità di lunghezza QPE | 10 nm |
| 1 unità di tempo QPE | 57.9 fs |
| Scala energetica E0=ħ/T0 | 11.4 meV |
| Frequenza equivalente E0/h | 2.75 THz |
| Nota | Mappatura rappresentativa per semiconduttore. Una unità di lunghezza di 10 nm con m*=0.067 m_e corrisponde a circa 57.9 fs; materiale e confinamento possono modificare la massa efficace. |
Questa mappatura è solo rappresentativa. Il modello resta quello descritto sopra: cambiare unità non aggiunge gradi di libertà mancanti.
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